TK17E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
TK17E80W,S1X P1
TK17E80W,S1X P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK17E80W,S1X

Número de pieza
TK17E80W,S1X
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TK17E80W,S1X PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza TK17E80W,S1X
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 17A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 300V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 8.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / caja TO-220-3

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