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| Número de pieza | SSM4K27CTTPL3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 174pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 250mA, 4V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | CST4 (1.2x0.8) |
| Paquete / caja | 4-SMD, No Lead |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM4K27CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V .5A CST4 | - | 0 | Detalles |
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SSM4K27CTTPL3 | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V .5A CST4 | - | 0 | Detalles |