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| Número de pieza | SSM3K35MFV,L3F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 3V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | VESM |
| Paquete / caja | SOT-723 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM3K01T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM | - | 0 | Detalles |
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SSM3K123TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM | - | 33000 | Detalles |
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SSM3K15ACT,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 | - | 0 | Detalles |
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SSM3K15ACTC,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C | - | 10000 | Detalles |
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SSM3K15AFS,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM | - | 0 | Detalles |
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SSM3K15AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM | - | 0 | Detalles |
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