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Lista de materiales

SSM3K316T(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › SSM3K316T(TE85L,F)
SSM3K316T(TE85L,F) P1
SSM3K316T(TE85L,F) P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3K316T(TE85L,F)

Número de pieza
SSM3K316T(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4A TSM
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SSM3K316T(TE85L,F).pdf SSM3K316T(TE85L,F) PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Parámetro del producto

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Número de pieza SSM3K316T(TE85L,F)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TSM
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción PDF En stock Ver
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