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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3J321T(TE85L,F)

Número de pieza	SSM3J321T(TE85L,F)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 3A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TSM
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
SSM3J304T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM	-	3000	Detalles
SSM3J306T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM	-	3000	Detalles
SSM3J307T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 5A TSM	-	0	Detalles
SSM3J321T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM	-	0	Detalles
SSM3J325F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI	-	0	Detalles
SSM3J327R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F	-	42000	Detalles
SSM3J328R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F	-	318000	Detalles
SSM3J331R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F	-	823252	Detalles
SSM3J332R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A	-	33000	Detalles
SSM3J334R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F	-	21000	Detalles
SSM3J338R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F		0	Detalles
SSM3J351R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F	-	6000	Detalles