SSM3J168F,LF

MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
SSM3J168F,LF P1
SSM3J168F,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3J168F,LF

Número de pieza
SSM3J168F,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SSM3J168F,LF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza SSM3J168F,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 400mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V
Vgs (Max) +20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 82pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor S-Mini
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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