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| Número de pieza | RN2905,LF(CT |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 100nA (ICBO) |
| Frecuencia - Transición | 200MHz |
| Potencia - Max | 200mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | US6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RN2901(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 0 | Detalles |
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RN2901FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 0 | Detalles |
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RN2902(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 0 | Detalles |
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RN2902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 0 | Detalles |
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RN2902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 6000 | Detalles |
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RN2902FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 0 | Detalles |
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RN2902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6 | - | 4000 | Detalles |
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RN2903,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 6000 | Detalles |
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RN2903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 3000 | Detalles |
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RN2903-I/RM095 | Microchip Technology | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ SMA ANT | - | 0 | Detalles |
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RN2903A-I/RM098 | Microchip Technology | RF MODULE | - | 664 | Detalles |
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