RN1427TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
RN1427TE85LF P1
RN1427TE85LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1427TE85LF

Número de pieza
RN1427TE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- RN1427TE85LF PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza RN1427TE85LF
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 300MHz
Potencia - Max 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor S-Mini

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