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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1412TE85LF

Número de pieza	RN1412TE85LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios)	22k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios)	-
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición	250MHz
Potencia - Max	200mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor	S-Mini

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
RN1401,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	3000	Detalles
RN1402,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	15000	Detalles
RN1402S,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	0	Detalles
RN1403,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F S-MINI PLN LF TRANSIS	-	1704455	Detalles
RN1404,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F S-MINI PLN LF TRANSIS	-	1704455	Detalles
RN1404S,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	3000	Detalles
RN1405,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	3000	Detalles
RN1406,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	3000	Detalles
RN1406S,LF(D	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI	-	0	Detalles
RN1408,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI	-	1891989	Detalles
RN1408,LF(B	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI	-	0	Detalles
RN1409,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI	-	9000	Detalles