RN1108ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
RN1108ACT(TPL3) P1
RN1108ACT(TPL3) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1108ACT(TPL3)

Número de pieza
RN1108ACT(TPL3)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- RN1108ACT(TPL3) PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza RN1108ACT(TPL3)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 22k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-101, SOT-883
Paquete de dispositivo del proveedor CST3

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