Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | 2SJ360(TE12L,F) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 500mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PW-MINI |
| Paquete / caja | TO-243AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SJ360(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 | 0 | Detalles | |
 |
2SJ360(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 | 0 | Detalles |