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| Número de pieza | N06DB2R2M |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo | - |
| Material - Núcleo | - |
| Inductancia | 2.2µH |
| Tolerancia | ±20% |
| Valoración actual | 3.2A |
| Actual - Saturación | - |
| Blindaje | Unshielded |
| Resistencia DC (DCR) | 29 mOhm Max |
| Q @ Freq | - |
| Frecuencia - Resonante automático | 53MHz |
| Calificaciones | - |
| Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
| Frecuencia - Prueba | 1kHz |
| Caracteristicas | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | Nonstandard |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Tamaño / Dimensión | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
| Altura: sentado (máximo) | 0.126" (3.20mm) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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N06 080 0003 1 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Detalles |
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N06 080 0003 2 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Detalles |
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N06 080 0003 3 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Detalles |
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N06 080 0003 4 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Detalles |
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N0601N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | - | 0 | Detalles |
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N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | - | 0 | Detalles |
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N0603N-S23-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 | - | 0 | Detalles |
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N0604N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 82A TO-220 | - | 0 | Detalles |
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N06DB100K | Taiyo Yuden | FIXED IND 10UH 1.7A 79 MOHM SMD | 0 | Detalles | |
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N06DB101K | Taiyo Yuden | FIXED IND 100UH 600MA 680 MOHM | 0 | Detalles | |
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N06DB102J | Taiyo Yuden | FIXED IND 1MH 160MA 8.2 OHM SMD | 0 | Detalles | |
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N06DB150K | Taiyo Yuden | FIXED IND 15UH 1.3A 120 MOHM SMD | 0 | Detalles |