TSM9N90ECI C0G

MOSFET N-CHANNEL 900V 9A ITO220
TSM9N90ECI C0G P1
TSM9N90ECI C0G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM9N90ECI C0G

Número de pieza
TSM9N90ECI C0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 900V 9A ITO220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza TSM9N90ECI C0G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2470pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor ITO-220AB
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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