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| Número de pieza | TSM80N950CH C5G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 691pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 110W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-251 (IPAK) |
| Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TSM80N08CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220 | - | 33948 | Detalles |
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TSM80N1R2CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251 | - | 41421 | Detalles |
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TSM80N1R2CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220 | - | 32126 | Detalles |
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TSM80N1R2CL C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S | - | 30775 | Detalles |
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TSM80N1R2CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 | - | 80250 | Detalles |
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TSM80N400CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S | - | 17848 | Detalles |
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TSM80N950CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251 | - | 39674 | Detalles |
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TSM80N950CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220 | - | 32126 | Detalles |
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TSM80N950CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 | - | 87799 | Detalles |