TSM60N600CI C0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 8A ITO220
TSM60N600CI C0G P1
TSM60N600CI C0G P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM60N600CI C0G

Número de pieza
TSM60N600CI C0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A ITO220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TSM60N600CI C0G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza TSM60N600CI C0G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 743pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor ITO-220AB
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Productos relacionados

Todos los productos