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| Número de pieza | TSM4N70CI C0G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 56W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TSM4N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 | - | 73177 | Detalles |
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TSM4N70CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252 | - | 7284 | Detalles |
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