TSM3N90CH C5G

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251
TSM3N90CH C5G P1
TSM3N90CH C5G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM3N90CH C5G

Número de pieza
TSM3N90CH C5G
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza TSM3N90CH C5G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 748pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-251 (IPAK)
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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