TSM2311CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
TSM2311CX RFG P1
TSM2311CX RFG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM2311CX RFG

Número de pieza
TSM2311CX RFG
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TSM2311CX RFG PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza TSM2311CX RFG
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 6V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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