TSM120N06LCR RLG

MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
TSM120N06LCR RLG P1
TSM120N06LCR RLG P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM120N06LCR RLG

Número de pieza
TSM120N06LCR RLG
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TSM120N06LCR RLG PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza TSM120N06LCR RLG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 54A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 36.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2116pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-PDFN (5x6)
Paquete / caja 8-PowerTDFN

Productos relacionados

Todos los productos