HS1GL RQG

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
HS1GL RQG P1
HS1GL RQG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ HS1GL RQG

Número de pieza
HS1GL RQG
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- HS1GL RQG PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza HS1GL RQG
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Corriente - promedio rectificado (Io) 1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.3V @ 1A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 50ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 400V
Capacitancia @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja DO-219AB
Paquete de dispositivo del proveedor Sub SMA
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C

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