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| Número de pieza | 1T2G R0G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacitancia @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | T-18, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TS-1 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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1T2G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 | - | 2532109 | Detalles |
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1T2G A1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 | - | 2532109 | Detalles |
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1T2G R0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 | - | 1556978 | Detalles |