1N5230B A0G

DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
1N5230B A0G P1
1N5230B A0G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ 1N5230B A0G

Número de pieza
1N5230B A0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- 1N5230B A0G PDF online browsing
Familia
Diodo - Zener - Simple
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Número de pieza 1N5230B A0G
Estado de la pieza Active
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) 4.7V
Tolerancia ±5%
Potencia - Max 500mW
Impedancia (Máx.) (Zzt) 19 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 2V
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.1V @ 200mA
Temperatura de funcionamiento 100°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivo del proveedor DO-35

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