STFI12N60M2

MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
STFI12N60M2 P1
STFI12N60M2 P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

STMicroelectronics ~ STFI12N60M2

Número de pieza
STFI12N60M2
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- STFI12N60M2 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza STFI12N60M2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 538pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 4.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor I2PAKFP (TO-281)
Paquete / caja TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Productos relacionados

Todos los productos