UMD3NTR

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
UMD3NTR P1
UMD3NTR P2
UMD3NTR P1
UMD3NTR P2
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Rohm Semiconductor ~ UMD3NTR

Número de pieza
UMD3NTR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Número de pieza UMD3NTR
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 250MHz
Potencia - Max 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor UMT6

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