SH8J66TB1

MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
SH8J66TB1 P1
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SH8J66TB1 P3
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Rohm Semiconductor ~ SH8J66TB1

Número de pieza
SH8J66TB1
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza SH8J66TB1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 10V
Potencia - Max 2W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP

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