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| Número de pieza | SCT3040KLGC11 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 55A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 10mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 18V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1337pF @ 800V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 262W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 20A, 18V |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247N |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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