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Número de pieza | RU1C002ZPTCL |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 150mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | UMT3F |
Paquete / caja | SC-85 |