RSS125N03FU6TB

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
RSS125N03FU6TB P1
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Rohm Semiconductor ~ RSS125N03FU6TB

Número de pieza
RSS125N03FU6TB
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza RSS125N03FU6TB
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 10V
Vgs (Max) 20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9 mOhm @ 12.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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