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| Número de pieza | RFN3BGE6STL |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 3A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.55V @ 3A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252GE |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 150°C (Max) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RFN30TS6DGC11 | Rohm Semiconductor | DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247 | 254 | Detalles | |
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RFN30TS6SGC11 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 | 272 | Detalles | |
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RFN3B2STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURPOSE CPD | - | 0 | Detalles |
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RFN3B6STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURPOSE CPD | - | 0 | Detalles |
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RFN3BGE6STL | Rohm Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE | - | 244197 | Detalles |
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RFN3BM2SFHTL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 3A TO252 | 0 | Detalles | |
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RFN3BM2STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 3A TO252 | - | 2500 | Detalles |
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RFN3BM6SFHTL | Rohm Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE CORRE | - | 203680 | Detalles |
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RFN3BM6STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 3A TO252 | - | 0 | Detalles |