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| Número de pieza | RCD041N25TL |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1300 mOhm @ 2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | CPT3 |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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RCD040N25TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428 | 0 | Detalles | |
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RCD041N25TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 4A CPT3 | 0 | Detalles | |
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RCD050N20TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 | 0 | Detalles | |
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RCD051N20TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 | 0 | Detalles | |
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RCD060N25TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 6A CPT3 | 0 | Detalles | |
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RCD075N19TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3 | 0 | Detalles | |
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RCD075N20TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3 | 0 | Detalles | |
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RCD080N25TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428 | 2500 | Detalles |