QS8M11TCR

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
QS8M11TCR P1
QS8M11TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ QS8M11TCR

Número de pieza
QS8M11TCR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza QS8M11TCR
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET -
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Potencia - Max -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor TSMT8

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