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Número de pieza | QS8J2TR |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1940pF @ 6V |
Potencia - Max | 550mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
Paquete de dispositivo del proveedor | TSMT8 |