QS8J12TCR

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
QS8J12TCR P1
QS8J12TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ QS8J12TCR

Número de pieza
QS8J12TCR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza QS8J12TCR
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 6V
Potencia - Max 550mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor TSMT8

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