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| Número de pieza | EMB6T2R |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistencia - Base (R1) (Ohmios) | 47k |
| Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) | 47k |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 500nA |
| Frecuencia - Transición | 250MHz |
| Potencia - Max | 150mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | EMT6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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