DTB123YUT106

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
DTB123YUT106 P1
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Rohm Semiconductor ~ DTB123YUT106

Número de pieza
DTB123YUT106
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DTB123YUT106.pdf DTB123YUT106 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza DTB123YUT106
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 200MHz
Potencia - Max 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivo del proveedor UMT3

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