DTA123JETL

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
DTA123JETL P1
DTA123JETL P2
DTA123JETL P1
DTA123JETL P2
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Rohm Semiconductor ~ DTA123JETL

Número de pieza
DTA123JETL
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- DTA123JETL PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza DTA123JETL
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 250MHz
Potencia - Max 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-75, SOT-416
Paquete de dispositivo del proveedor EMT3

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