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Número de pieza | QJD1210011 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 100A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
Potencia - Max | 900W |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / caja | Module |
Paquete de dispositivo del proveedor | Module |