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ON Semiconductor ~ SFT1458-TL-H

Número de pieza	SFT1458-TL-H
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	65pF @ 20V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 Ohm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK/TP-FA
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
SFT11G A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	848932	Detalles
SFT11G A1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	955048	Detalles
SFT11G R0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	861254	Detalles
SFT11GHA0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	1029065	Detalles
SFT11GHA1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	1029065	Detalles
SFT11GHR0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	907915	Detalles
SFT1202-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 150V 2A TP	-	3000	Detalles
SFT1202-TL-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 150V 2A TP-FA	-	6300	Detalles
SFT12G A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1	-	955048	Detalles
SFT12G A1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1	-	955048	Detalles
SFT12G R0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1	-	861254	Detalles
SFT12GHA0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1	-	1029065	Detalles