SBAS16LT1G

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
SBAS16LT1G P1
SBAS16LT1G P1
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ON Semiconductor ~ SBAS16LT1G

Número de pieza
SBAS16LT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SBAS16LT1G PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza SBAS16LT1G
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 75V
Corriente - promedio rectificado (Io) 200mA (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.25V @ 150mA
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 6ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C

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