NTTFS4824NTAG

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
NTTFS4824NTAG P1
NTTFS4824NTAG P1
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ON Semiconductor ~ NTTFS4824NTAG

Número de pieza
NTTFS4824NTAG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NTTFS4824NTAG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 11.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 11.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2363pF @ 12V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / caja 8-PowerWDFN

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