NTP8G206NG

MOSFET N-CH 600V 17A TO220
NTP8G206NG P1
NTP8G206NG P1
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ON Semiconductor ~ NTP8G206NG

Número de pieza
NTP8G206NG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NTP8G206NG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 17A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 480V
Vgs (Max) ±18V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 8V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3

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