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| Número de pieza | NTP082N65S3F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3410pF @ 400V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 313W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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NTP082N65S3F | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 82 MOHM TO220 P | - | 11931 | Detalles |