NTMFD4C85NT3G

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
NTMFD4C85NT3G P1
NTMFD4C85NT3G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFD4C85NT3G

Número de pieza
NTMFD4C85NT3G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza NTMFD4C85NT3G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 15.4A, 29.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 15V
Potencia - Max 1.13W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor 8-DFN (5x6)

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