NTMD4184PFR2G

MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
NTMD4184PFR2G P1
NTMD4184PFR2G P1
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ON Semiconductor ~ NTMD4184PFR2G

Número de pieza
NTMD4184PFR2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NTMD4184PFR2G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NTMD4184PFR2G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx) 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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