NTH027N65S3F_F155

MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P
NTH027N65S3F_F155 P1
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ON Semiconductor ~ NTH027N65S3F_F155

Número de pieza
NTH027N65S3F_F155
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NTH027N65S3F_F155
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 7.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7690pF @ 400V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 595W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / caja TO-247-3

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