NTGS3433T1G

MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
NTGS3433T1G P1
NTGS3433T1G P1
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ON Semiconductor ~ NTGS3433T1G

Número de pieza
NTGS3433T1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NTGS3433T1G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NTGS3433T1G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.35A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 5V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / caja SOT-23-6

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