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| Número de pieza | NTE4151PT1G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 760mA (Tj) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 156pF @ 5V |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 313mW (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 350mA, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-89-3 |
| Paquete / caja | SC-89, SOT-490 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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NTE4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89 | - | 0 | Detalles |
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NTE4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 | - | 0 | Detalles |