NTD110N02RST4G

MOSFET N-CH 24V 100A DPAK
NTD110N02RST4G P1
NTD110N02RST4G P1
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ON Semiconductor ~ NTD110N02RST4G

Número de pieza
NTD110N02RST4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 24V 100A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NTD110N02RST4G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NTD110N02RST4G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET -
Tecnología -
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) -
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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