NJX1675PDR2G

TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
NJX1675PDR2G P1
NJX1675PDR2G P1
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ON Semiconductor ~ NJX1675PDR2G

Número de pieza
NJX1675PDR2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NJX1675PDR2G PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos
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Número de pieza NJX1675PDR2G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 30V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Potencia - Max 2W
Frecuencia - Transición 100MHz, 120MHz
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC

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