NGTB60N65FL2WG

650V/60A IGBT FSII
NGTB60N65FL2WG P1
NGTB60N65FL2WG P1
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ON Semiconductor ~ NGTB60N65FL2WG

Número de pieza
NGTB60N65FL2WG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
650V/60A IGBT FSII
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Simple
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Número de pieza NGTB60N65FL2WG
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Field Stop
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 650V
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Corriente - colector pulsado (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A
Potencia - Max 595W
Conmutación de energía 1.59mJ (on), 660µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 318nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 117ns/265ns
Condición de prueba 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 96ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3

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